Na poświęconej tematyce półprzewodników konferencji Hot Chips, Samsung zapowiedział stworzenie układów pamięci operacyjnej o pojemności 512 GB DDR5-7200. Wszystko na jednej płytce. To dwukrotnie więcej niż to, co oferują dzisiejsze, najpojemniejsze układy.
Jak pewnie niektórzy się domyślają, najnowsze RAM-y nie będą dostępne dla domowych pecetów. Samsung adresuje je do rozwiązań serwerowych oraz Enterprise. Stworzenie tak pojemnych modułów udało się dzięki sięgnięciu po nową wersją technologii TSV, umożliwiającą łączenie poszczególnych warstw w stosy nie 4-, a 8-warstwowe. Poszczególne kości są też gęściej upakowane na laminacie, a ich wysokość udało się zredukować z 1,2 mm do 1 mm. Tak dobrze widzicie – nie dość, że stosy będą składać się z dwukrotnie większej liczby warstw, to jeszcze udało się je „odchudzić”.
Zapowiedziane moduły będą oferować przepustowość na poziomie 7200 Gb/s i dwukrotnie wyższą pojemność niż układy 256-gigabajtowe. O ok. 10% wzrosła też wydajność samej magistrali – i to wszystko przy jednoczesnym zmniejszeniu napięcia do 1,1 V z 1,2 V, wymaganego przez pamięci DDR4. Zmniejszenie zapotrzebowania na prąd to przede wszystkim zasługa nowego układu Power Management IC oraz wykorzystania bramki High-K Metal. W efekcie efektywność energetyczna w stosunku do poprzedniej generacji wzrosła o 30%. Może wydawać się to mało, ale Koreańczycy zwracają uwagę, że w przypadku centrów danych DDR5 pomogą zmniejszyć wykorzystanie energii o nawet 1 TWh.
Produkcja nowych modułów RAM ma rozpocząć się pod koniec tego roku, ale Samsung zakłada, że stopniowa zmiana układów DDR4 na DDR5 nastąpi dopiero w latach 2023 – 2024. I już samo to powinno nam podpowiadać, że DDR5 w komputerach konsumenckich tak szybko nie zobaczymy. Chociaż, warto przypomnieć, że procesory Intela z nadchodzącej generacji Alder Lake będą już takie moduły obsługiwać – nieco więcej na ten temat pisałem w tym newsie.
