Samsung Electronics w październiku ogłosił wejście do masowej produkcji 14-nanometrowej (nm) pamięci DRAM opartej na technologii ekstremalnego ultrafioletu (EUV). Jest to pokłosie rozpoczętej w marcu produkcji pierwszej w branży pamięci DRAM w technologii EUV. Samsung podkreśla, że zwiększył liczbę warstw EUV do pięciu, co ma zaowocować najdoskonalszym i najbardziej zaawansowanym DRAM-em dla rozwiązań DDR5.

Samsung ustanawia kolejny kamień milowy w technologii wielowarstwowego EUV, który pozwolił na ekstremalną miniaturyzację w 14 nm – wyczyn nieosiągalny w konwencjonalnym procesie argonowo-fluorkowym (ArF). Postęp ten pozwoli nam dostarczać najbardziej zróżnicowane rozwiązania pamięciowe, w pełni odpowiadając na potrzeby współczesnego świata napędzanego przez t5G, AI i metawersję – podkreśla Jooyoung Lee, starszy wiceprezes i szef działu produktów i technologii DRAM w Samsung Electronics.

Ponieważ DRAM nadal skaluje się w dół w zakresie 10 nm, technologia EUV staje się coraz ważniejsza. Dzięki temu poprawiona zostanie dokładność patterningu w celu uzyskania wyższej wydajności i produkcji. Zastosowanie pięciu warstw EUV w 14 nm DRAM sprawia, że Samsung osiągnął najwyższą gęstość bitową, jednocześnie zwiększając ogólną wydajność wafla o około 20%. Dodatkowo, proces 14 nm może pomóc obniżyć zużycie energii o prawie 20% w porównaniu z poprzednią generacją DRAM.

Wykorzystując najnowszy standard DDR5, 14 nm DRAM firmy Samsung może zapewnić prędkość do 7,2 gigabitów na sekundę (Gbps), co stanowi ponad dwukrotność prędkości DDR4, która wynosi do 3,2 Gbps.

Samsung planuje rozszerzyć swoją ofertę 14 nm DDR5, aby obsłużyć centra danych, superkomputery i aplikacje serwerowe dla przedsiębiorstw. Ponadto, Samsung przewiduje zwiększenie gęstości 14 nm DRAM do 24Gb, aby lepiej sprostać szybko rosnącemu zapotrzebowaniu na dane w globalnych systemach IT.

źródło: informacja prasowa